技術(shù)編號：7042498
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在分裂柵極構(gòu)造的MONOS型存儲器單元中，防止在選擇柵電極與存儲器柵電極之間引起短路，而使半導(dǎo)體裝置的可靠性提高。在具有相互鄰接并在第1方向上延伸的選擇柵電極（CG1）以及存儲器柵電極（MG1）的MONOS存儲器中，通過帽絕緣膜（CA1）覆蓋第1方向中的選擇柵電極（CG1）的端部的分流部（CS1）以外的區(qū)域的選擇柵電極（CG1）的上表面。存儲器柵電極（MG1）相對從帽絕緣膜（CA1）露出的分流部（CS1）的上表面、與帽絕緣膜（CA1）的邊界，在帽絕緣膜（C...
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