技術(shù)編號：7042326
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了嵌入的基于SONOS的存儲單元。描述了包括嵌入的基于SONOS的非易失性存儲（NVM）晶體管和MOS晶體管的多個存儲單元及其形成方法。通常，該方法包括在襯底上形成電介質(zhì)疊層，電介質(zhì)疊層包含襯底上的隧道電介質(zhì)，和在隧道電介質(zhì)上的電荷捕獲層；圖案化電介質(zhì)疊層，以在襯底的第一區(qū)域中形成存儲器件的NVM晶體管的柵極疊層，同時并發(fā)地從襯底的第二區(qū)域去除電介質(zhì)疊層；以及進行基準CMOS工藝流程的柵極氧化處理，以熱生長覆蓋第二區(qū)域中的襯底的MOS晶體管的柵極...
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