技術(shù)編號：7041763
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明為。半導(dǎo)體裝置具備n型第一GaN系半導(dǎo)體層；p型第二GaN系半導(dǎo)體層，位于第一GaN系半導(dǎo)體層上，具有第一GaN系半導(dǎo)體層側(cè)的低雜質(zhì)濃度區(qū)域和第一GaN系半導(dǎo)體層相反側(cè)的高雜質(zhì)濃度區(qū)域；n型第三GaN系半導(dǎo)體層，位于第二GaN系半導(dǎo)體層的與第一GaN系半導(dǎo)體層相反的一側(cè)；柵電極，一端位于第三GaN系半導(dǎo)體層或第三GaN系半導(dǎo)體層上方，另一端位于第一GaN系半導(dǎo)體層，經(jīng)由柵極絕緣膜與第三GaN系半導(dǎo)體層、低雜質(zhì)濃度區(qū)域及第一GaN系半導(dǎo)體層相鄰；第三G...
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