技術(shù)編號：7041317
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供面積小的ESD保護(hù)電路。具備一端與輸入端子（11）連接的、N型阱內(nèi)的P型擴(kuò)散電阻（12）；在與電源端子連接的N型阱與擴(kuò)散電阻（12）之間的二極管（14）；柵極及源極與接地端子連接、漏極與擴(kuò)散電阻（12）的另一端連接的NMOS晶體管（15）；以及在電源端子與接地端子之間產(chǎn)生的寄生二極管。專利說明具備ESD保護(hù)電路的半導(dǎo)體裝置[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。特別是涉及用于保護(hù)半導(dǎo)體裝置的輸入端子的ESD保護(hù)電路。背景技術(shù)[0002]對現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝...
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