技術(shù)編號：7041305
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，該半導(dǎo)體器件具有功率MOSFET，該功率MOSFET同時實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓。先在n型襯底SUB上形成低濃度的p型外延層EP，在有源部中由多個溝道TR來界定多個有源區(qū)域AC，所述溝道TR形成于外延層EP并按第1方向延伸，且在與第1方向正交的第2方向上具有第1間隔。即形成如下的超結(jié)結(jié)構(gòu)在相鄰的溝道TR之間的外延層EP形成具有漏極偏移層作用的n型擴散區(qū)域NR，在溝道TR的側(cè)壁和n型擴散區(qū)域NR之間的外延層EP形成與溝道區(qū)域（p型擴散區(qū)域...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。