技術(shù)編號：7040883
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明描述了制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、功率半導(dǎo)體器件及屏蔽柵極MOSFET器件的方法。制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述襯底上提供外延層，所述外延層包括底部和上部，所述底部包含在整個所述底部上基本上恒定的第一濃度的第一導(dǎo)電型摻雜物，所述上部包含具有比所述第一濃度低的第二濃度的第一導(dǎo)電型摻雜物；在所述外延層中提供溝槽；在所述溝槽中形成晶體管結(jié)構(gòu)；以及在與所述溝槽相鄰的所述外延層的所述上部形成阱區(qū)，所述阱區(qū)包含與所述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型摻雜物。還描述了...
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