技術編號：7038456
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種半導體納米線與環(huán)繞式半導體部分(30D)一體地形成，該環(huán)繞式半導體部分接觸位于深溝槽上部部分并且接觸深溝槽電容器的內(nèi)部電極(16)的導電頂蓋結構(18)的側壁。半導體納米線(30N)懸于埋入絕緣體層(20)上方。柵電介質(zhì)層(32L)形成在包括半導體納米線和環(huán)繞式半導體部分的半導體材料結構(30P)的表面上。環(huán)繞式柵電極部分(30D)繞半導體納米線的中心部分形成并且形成柵分隔件(52)。去除圖案化的半導體材料結構的物理暴露部分，執(zhí)行選擇性外延和金屬化，以...
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