技術(shù)編號(hào)：7037153
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體裝置中，溝槽(5)具有第1溝槽(5a)，在基極層(4)的表面具有開口部；第2溝槽(5b)，與第1溝槽(5a)連通，對(duì)置的側(cè)壁的間隔比第1溝槽(5a)的對(duì)置的側(cè)壁的間隔長(zhǎng)，并且底部位于漂移層(3)。與第1溝槽(5a)結(jié)合的第2溝槽(5b)的結(jié)合部(5c)的壁面帶有圓度。據(jù)此，能夠抑制在第1溝槽(5a)與第2溝槽(5b)之間的結(jié)合部(5c)的附近發(fā)生較大的電場(chǎng)集中。此外，當(dāng)電子被從溝道區(qū)域向漂移層(3)供給時(shí)，能夠抑制電子的流動(dòng)方向在結(jié)合部(5c)的附...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。