技術(shù)編號：7036013
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型公開了一種基于標準CMOS工藝的新型光互連結(jié)構(gòu)，包括單晶硅LED、柵極氧化SiO2層（2）、多晶硅PIN探測器（3）以及P型襯底（12），所述單晶硅LED包括單晶硅LED陽極及其接觸區(qū)（5）、單晶硅LED陰極及其接觸區(qū)（6）；設置在P型襯底（12）中的N阱（1）中；所述柵極氧化SiO2層（2）采用兩層CMOSFET的SiO2層結(jié)構(gòu)，作為該互連結(jié)構(gòu)的光波導，其厚度為或以及所述多晶硅PIN探測器設置于所述柵極氧化SiO2層（2）之上，分成了三個區(qū)域。...
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