技術(shù)編號：7035232
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體器件，包括襯底、形成于所述襯底上表面的絕緣層、形成于所述絕緣層上的至少一個金屬互連層，所述半導(dǎo)體器件還包括形成于所述襯底下表面的至少一個金屬層。本實(shí)用新型通過在襯底的下表面形成至少一個金屬層，來與形成于襯底上表面的金屬互連層形成平板電容，通過將該平板電容連接到半導(dǎo)體器件的輸入或輸出端，來便捷且高效地實(shí)現(xiàn)對半導(dǎo)體器件的輸入或輸出阻抗到目標(biāo)阻抗的匹配。專利說明半導(dǎo)體器件[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件。背景...
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