技術(shù)編號：7034889
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有能夠?qū)懭搿⒆x取和擦除的非易失性半導(dǎo)體存儲元件的半導(dǎo)體裝置。請注意，在本說明書中“半導(dǎo)體裝置”指的是能夠使用半導(dǎo)體特性工作的一般裝置，并且電光裝置、半導(dǎo)體電路和電子裝置都可以被認(rèn)為是半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)非易失性半導(dǎo)體存儲元件是能夠電重寫并且即使當(dāng)關(guān)閉電源時也能存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體元件。作為非易失性半導(dǎo)體存儲元件，具有與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)的非易失性存儲晶體管按照電荷存儲裝置被劃分為兩個主要的組。一組是其中電...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。