技術(shù)編號(hào):7030476
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)案涉及一種垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)場(chǎng)效晶體管(FET)。背景技術(shù)與集成電路中的橫向晶體管相比,功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)一般用以處置高功率電平。圖6展示使用垂直擴(kuò)散MOSFET結(jié)構(gòu)(也稱(chēng)為雙擴(kuò)散MOSFET結(jié)構(gòu)(DM0S 或 VDM0S))的典型 MOSFET。如所展示,例如,在圖6中,在N+襯底415上形成有N-外延層,所述N-外延層的厚度及摻雜一般確定裝置的電壓額定值。自頂部至外延層410中,形成有N+摻雜的左源極...
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