技術(shù)編號(hào):7029396
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)案涉及一種垂直DMOS場(chǎng)效晶體管(FET)。背景技術(shù)與集成電路中的 橫向晶體管相比,功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)通常用以處置高功率電平。圖5展示典型M0SFET,其使用垂直擴(kuò)散MOSFET結(jié)構(gòu),也稱(chēng)為雙擴(kuò)散 MOSFET 結(jié)構(gòu)(DM0S 或 VDM0S)。如(例如)圖5中所示,在N+襯底415上,形成有N-外延層,其厚度及摻雜通常確定裝置的電壓額定值。從頂部到外延層410內(nèi),形成有由P摻雜區(qū)域420包圍的N+摻雜的左及右源極區(qū)域43...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
詳細(xì)技術(shù)文檔下載地址↓↓
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。- 賀老師:氮化物陶瓷、光功能晶體材料及燃燒合成制備科學(xué)及工程應(yīng)用
- 楊老師:工程電磁場(chǎng)與磁技術(shù),無(wú)線(xiàn)電能傳輸技術(shù)
- 許老師:1.氣動(dòng)光學(xué)成像用于精確制導(dǎo) 2.人工智能方法用于數(shù)據(jù)處理、預(yù)測(cè) 3.故障診斷和健康管理
- 王老師:智能控制理論及應(yīng)用;機(jī)器人控制技術(shù)
- 李老師:1.自旋電子學(xué) 2.鐵磁共振、電磁場(chǎng)理論
- 寧老師:1.固體物理 2.半導(dǎo)體照明光源光學(xué)設(shè)計(jì)實(shí)踐 3.半導(dǎo)體器件封裝實(shí)踐
- 楊老師:1.大型電力變壓器內(nèi)絕緣老化機(jī)理及壽命預(yù)測(cè) 2.局部放電在線(xiàn)監(jiān)測(cè)及模式識(shí)別 3.電力設(shè)備在線(xiàn)監(jiān)測(cè)及故障診斷 4.絕緣材料的改性技術(shù)及新型絕緣材料的研究
- 王老師:1.無(wú)線(xiàn)電能傳輸技術(shù) 2.大功率電力電子變換及其控制技術(shù)