技術(shù)編號(hào)：7028264
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括補(bǔ)償區(qū)，其包括p區(qū)和n區(qū)；位于所述補(bǔ)償區(qū)上的多個(gè)晶體管單元，所述多個(gè)晶體管單元中的每一個(gè)包括源區(qū)、體區(qū)、柵極和層間電介質(zhì)；布置在所述層間電介質(zhì)上的源極金屬化層。所述半導(dǎo)體器件還包括另一n摻雜區(qū)，所述另一n摻雜區(qū)被提供在兩個(gè)相鄰體區(qū)之間的所述n區(qū)的頂部上，和源極插塞，所述源極插塞填充穿過所述源區(qū)和體區(qū)以及所述源極金屬化層之間的所述層間電介質(zhì)形成的接觸孔，以便電連接所述源區(qū)和體區(qū)以及所述源極金屬化層。專利說明半導(dǎo)體器件 ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。