技術(shù)編號：7026325
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型的實施例公開了一種用于集成電路中的器件，所述器件包括嵌入的氧化物區(qū)域，具有在其之上的保形氮化物層；以及硅化合物的無分面的外延生長的區(qū)域，與所述嵌入的氧化物區(qū)域相鄰。本文呈現(xiàn)的一種這樣的技術(shù)是用SiN對隔離溝槽加襯以使得SiN襯墊提供在氧化物與其中將外延生長的區(qū)域之間的屏障。專利說明用于集成電路中的器件 [0001]本公開內(nèi)容涉及集成電路MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件制作，并且具體地，涉及應(yīng)變硅器件。 背景技術(shù) [000...
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