技術(shù)編號(hào)：7023842
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種加厚型IC芯片，包括自下而上依次設(shè)置的硅片層、外延層、鋁層、鈍化層以及陰極壓焊點(diǎn)、陽極壓焊點(diǎn)和參考端壓焊點(diǎn)，所述的鈍化層為雙鈍化層結(jié)構(gòu)，其總厚度為2.5-3.5μm，所述陰極壓焊點(diǎn)、陽極壓焊點(diǎn)和參考端壓焊點(diǎn)錯(cuò)開分布于IC芯片的同一邊緣位置；所述雙鈍化層的至少有一層厚度為1.5μm；所述的陰極壓焊點(diǎn)、陽極壓焊點(diǎn)和參考端壓焊點(diǎn)的形狀為四邊形。已經(jīng)試調(diào)電阻網(wǎng)絡(luò)的431芯片的多晶硅微歐級(jí)電阻在經(jīng)封裝處理過程中不受各種溫度、壓力變化的影響，同時(shí)提...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。