一種加厚型ic芯片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種加厚型IC芯片，包括自下而上依次設置的硅片層、外延層、鋁層、鈍化層以及陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點，所述的鈍化層為雙鈍化層結(jié)構，其總厚度為2.5-3.5μm，所述陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點錯開分布于IC芯片的同一邊緣位置；所述雙鈍化層的至少有一層厚度為1.5μm；所述的陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點的形狀為四邊形。已經(jīng)試調(diào)電阻網(wǎng)絡的431芯片的多晶硅微歐級電阻在經(jīng)封裝處理過程中不受各種溫度、壓力變化的影響，同時提高IC芯片的檔次；經(jīng)過生產(chǎn)測試，采用本實用新型的技術方案得到的431芯片的Ⅰ檔率達到93.44%，Ⅱ檔率僅為5.96%，不存在Ⅲ檔率的產(chǎn)品。
【專利說明】一種加厚型IC芯片
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體集成電路領域，尤其涉及可調(diào)精度調(diào)整器芯片，包括雙層鈍化層和加寬的陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點。
【背景技術】
[0002]近來來電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進，各種新型芯片應運而生。用于半導體集成電路可調(diào)精度調(diào)整器芯片的制作也有了飛速發(fā)展；這種可調(diào)精度調(diào)整器的產(chǎn)品國際通用專稱為431芯片，如國外的稱之為IL431和LM431，不同公司的名稱冠以不同的英文廠名，如GGA公司生產(chǎn)的431芯片則稱為GGA431芯片。
[0003]在集成電路行業(yè)，封裝技術封裝對于芯片來說是必須的，也是至關重要的。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。由于封裝技術的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB (印制電路板)的設計和制造，因此它是至關重要的。芯片用封裝技術可有兩種形式，一種為To-92和Sot-23，其中前者用于一般線路板上焊接，并安裝在低壓穩(wěn)壓線路內(nèi)。后者用于表面貼膜裝波峰焊的低壓穩(wěn)壓電路內(nèi)。這類低壓電源精度調(diào)整器件已用于計算機識別器以及手機充電器電源。各種用途的低壓穩(wěn)壓電源均有選用，因而用量極大。
[0004]431芯片的精度對檔率分為三種:
[0005]I檔0.3%-0.5%，II檔1%，111檔2% ;其中電子整機要求用I檔率為0.5%的產(chǎn)品，要求高一些的用0.3%的；手機充電器等用II檔1%，其價格比I檔低20% ;111檔的產(chǎn)品為不良品，僅僅極少數(shù)的客戶會使用。根據(jù)測試，用以往的技術方案得到的431M芯片的I檔對檔率為69.95%，II檔對檔率為22.01%，III檔對檔率為2.99% ；
[0006]431芯片與其他集成電路芯片相比有一特點，即當完成芯片制作流程后，測試時需要調(diào)整安裝在芯片上的電阻網(wǎng)絡，從而調(diào)整參考電壓的精度，經(jīng)調(diào)整后再進行封裝。在封裝過程中高溫的塑料、芯片的大小以及封裝用框架材料的強度均對產(chǎn)品的性能產(chǎn)生影響，使得每一個工廠生產(chǎn)的每一批芯片其封裝后所測得的對檔率均不相同。由于不同的封裝廠所用塑料材料不同，設備不同，其影響結(jié)果也不一樣。IC芯片生產(chǎn)廠家說是封裝廠有問題，封裝廠家說IC生產(chǎn)廠家有問題，互相斥責卻解決不了問題。
實用新型內(nèi)容
[0007]本實用新型提供了一種加厚型IC芯片，其目的是解決已試調(diào)電阻網(wǎng)絡的431芯片的多晶硅微歐級電阻在封裝處理過程中隨著各種溫度、壓力變化而變化的問題以及影響IC芯片檔次的問題。
[0008]為了解決上述技術問題，本實用新型提出的技術方案是:一種加厚型IC芯片，包括自下而上依次設置的硅片層、外延層、鋁層、鈍化層以及設置與鈍化層之上的陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點，所述的鈍化層為雙鈍化層結(jié)構，其總厚度為2.5-3.5 μ m,所述陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點錯開分布于IC芯片的同一邊緣位置。
[0009]優(yōu)選的，所述雙鈍化層的總厚度為2.5-3.5 μ m，其中至少有一層鈍化層厚度為L 5 μ m0
[0010]優(yōu)選的，所述的陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點的形狀為四邊形。
[0011]優(yōu)選的，所述的陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點的長和寬均為120 μ mX 120 μ m。
[0012]本實用新型的有益效果是:采用本實用新型的技術方案，使經(jīng)試調(diào)電阻網(wǎng)絡后的431芯片的多晶硅微歐級電阻在經(jīng)封裝處理過程不受各種溫度、壓力變化的影響，同時提高IC芯片的檔次；經(jīng)過生產(chǎn)測試，采用本實用新型的技術方案得到的431芯片的I檔率達到93.44%，II檔率僅為5.96%，不存在III檔率的產(chǎn)品，該技術方案大幅度提高了對檔率I檔的比例，經(jīng)濟效益更好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型一種加厚型芯片的界面示意圖；
[0014]圖2為本實用新型一種加厚型芯片的俯視框圖。
【具體實施方式】
[0015]下面將結(jié)合附圖1、圖2對本實用新型一種加厚型芯片做進一步的說明，但不應以此來限定本實用新型的保護范圍。
[0016]如圖1所示，一種加厚型芯片，包括硅片層1、外延層2、鋁層3、鈍化層O ;所述的硅片層I上面結(jié)合有外延層2，所述外延層2上表面涂覆一鋁層3，所述鋁層3上面結(jié)合有一鈍化層O。所述的鈍化層O為雙層結(jié)構，其總厚度為2.5-3.5 μ m。較之以往的只有一層鈍化層并且厚度約僅為1.5μπι的431芯片，本實用新型的鈍化層O為雙層結(jié)構，至少有一層厚度為1.5 μ m，這樣能使得431芯片的性能在封裝過程中不會收到溫度、壓力的影響，其微歐級電阻也不會受到影響。
[0017]根據(jù)上述的說明，另一種實施例為本實用新型的鈍化層不僅僅局限于分為兩層，其只要保證厚度為2.5-3.5 μ m，則鈍化層可以是一層、三層、四層甚至更多。
[0018]如圖2所示，作為本實用新型的一種改進，所述的陰極壓焊點6、陽極壓焊點7和參考端壓焊點8的形狀為四邊形，其長和寬均為120 μ mX 120 μ m。圖中所示，所述陰極壓焊點6、陽極壓焊點7和參考端壓焊點8錯開分布于IC芯片的同一邊緣位置；這三個壓焊點從左及右分別是陰極壓焊點6、陽極壓焊點7和參考端壓焊點8 ;陰極壓焊點6與陽極壓焊點7之間的距離比陽極壓焊點7與參考端壓焊點8之間的距離要大；另外陰極壓焊點6與左邊緣的距離較之參考端壓焊點8與右邊緣的距離要小。以往的431芯片的陰極壓焊點6、陽極壓焊點7和參考端壓焊點8的長和寬為92 μ mX92 μ m和100 μ mX 100 μ m,本實用新型采用的壓焊點長和寬為120 μ mX 120 μ m,由于壓焊點面積加大了，使得焊接方便，從而使得在封裝過程中保證了多晶硅的性能穩(wěn)定。
[0019]作為另一種改進實施方式，所述的陰極壓焊點6、陽極壓焊點7和參考端壓焊點8至少有一個以上的面積從以往的小尺寸改為本實用新型的120 μ mX 120 μ m即可提高431芯片在封裝后性能的穩(wěn)定性。[0020]另外，在壓焊過程中，選用的引弧長度(弧定點到基板平面)由以往工藝的60 μ m改成本實用新型的80 μ m-90 μ m,這樣有利于焊接的進行，穩(wěn)定芯片的性能。
[0021]測試本實用新型的封裝精度對檔率時，采用的參考電壓為2.495±0.2%V，而以往的工藝參考電壓為2.495 ±0.3%V，這樣其檢測精度更高，檢測到的對檔率更準確。
[0022]經(jīng)過生產(chǎn)測試，采用本實用新型的技術方案得到的431芯片的I檔率達到93.44%，II檔率僅為5.96%，不存在III檔率的產(chǎn)品，其實利用2.495 ±0.2%V的參考電壓可以使得II檔率進一步降低，這樣同樣的431M I檔對檔率可提高25%作用。
[0023]根據(jù)上述說明書的揭示和教導，本實用新型所屬領域的技術人員還可以對上述實施方式進行變更和修改。因此，本實用新型并不局限于上面揭示和描述的【具體實施方式】，對本實用新型的一些修改和變更也應當落入本實用新型的權利要求的保護范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了一些特定的術語，但這些術語只是為了方便說明，并不對本實用新型構成任何限制。
【權利要求】
1.一種加厚型IC芯片，包括自下而上依次設置的硅片層、外延層、鋁層、鈍化層以及設置在鈍化層上的陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點，其特征在于:所述的鈍化層為雙鈍化層結(jié)構，其總厚度為2.5-3.5 μ m。
2.如權利要求1所述的一種加厚型IC芯片，其特征在于:所述雙鈍化層的至少有一層厚度為1.5μηι。
3.如權利要求1或2所述的一種加厚型IC芯片，其特征在于:所述陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點錯開分布于IC芯片的同一側(cè)的邊緣位置；該陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點的形狀為四邊形。
4.如權利要求3所述的一種加厚型IC芯片，其特征在于:所述的陰極壓焊點、陽極壓焊點和參考端壓焊點的長和寬均為120 μ mX 120 μ m。
【文檔編號】H01L23/488GK203445109SQ201320563351
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年9月11日 優(yōu)先權日:2013年9月11日
【發(fā)明者】陸兆康 申請人:澳康電子有限公司