技術編號：7018940
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型提供了一種半導體器件，該半導體器件包括源區(qū)，被布置于半導體襯底；漏區(qū)，被布置于半導體襯底；柵區(qū)，被布置到半導體襯底上，并位于源區(qū)和漏區(qū)之間。半導體器件還包括柵氧區(qū)，被布置到半導體襯底上，與柵區(qū)接觸；以及阱區(qū)，被植入到半導體襯底上并位于柵區(qū)和柵氧區(qū)下面。柵氧區(qū)具有與阱區(qū)接觸的下外沿部分。該半導體器件可以是低閾值電壓金屬氧化物半導體。專利說明半導體器件[0001]本實用新型大體上涉及金屬氧化物半導體場效應晶體管(M0SFET)。更具體地，涉及一種低閾...
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