技術(shù)編號：7016544
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及—種肖特基二極管，包括設(shè)置在n+型碳化硅襯底的第一表面的n-型外延層；設(shè)置在n-型外延層內(nèi)，且設(shè)置在n+型碳化硅襯底的第一表面的第一部分上的多個(gè)n型柱區(qū)；設(shè)置在n-型外延層內(nèi)，且在垂直于n型柱區(qū)的方向上延伸的p型區(qū)域；多個(gè)P+區(qū)域，n-型外延層被設(shè)置在其表面，且它們與n型柱區(qū)和p型區(qū)域分隔；設(shè)置在n-型外延層和P+區(qū)域上的肖特基電極；設(shè)置在n+型碳化硅襯底的第二表面的歐姆電極。專利說明[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求2012年...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。