技術(shù)編號：7015463
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。使用替換金屬柵極(RMG)工藝提供用于與金屬柵極晶體管并排創(chuàng)建精密多晶硅電阻器的機(jī)會。在形成犧牲多晶硅柵極期間，多晶硅電阻器也可以從相同多晶硅膜形成?？梢月晕枷荻嗑Ч桦娮杵?，使得保護(hù)絕緣層可以在用金屬柵極隨后替換犧牲柵極期間覆蓋電阻器。使用這樣的工藝來制作的精密多晶硅電阻器的最終結(jié)構(gòu)比為具有金屬柵極晶體管的集成電路提供金屬電阻器的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)更緊湊并且復(fù)雜性更少。另外，可以通過向多晶硅膜注入摻雜物、調(diào)整多晶硅膜厚度或者二者來自由調(diào)節(jié)精密多晶硅電阻器至具有所需...
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