技術(shù)編號(hào):7015197
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了。本發(fā)明的阻變存儲(chǔ)器包括頂電極、底電極以及二者之間的功能層;其中,功能層包括第一氧化層和第二氧化層;第一氧化層為靠近頂電極的完全配比的氧化層;第二氧化層為靠近底電極的非完全配比的氧化層。本發(fā)明采用分兩次淀積功能層,形成具有氧組分不同的兩層氧化層的功能層,靠近頂電極為完全配比的氧化層,而靠近底電極為非完全配比的氧化層;在頂電極與完全配比的氧化層之間勢(shì)壘會(huì)明顯提高,電子只能靠肖特基發(fā)射實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電,低阻態(tài)具有非線(xiàn)性,器件具有選擇特性。本發(fā)明在有效抑制誤...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。