技術編號：7014093
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是，包括形成阻性層的堆疊；在形成該阻性層堆疊之前或之后，形成導電層；在該阻性層堆疊或導電層上應用掩膜層；在該掩膜層上形成第一間隔件；并且使用該第一間隔件作為第一掩膜來蝕刻掉該掩膜層的第一部分，以提供剩余部分。該方法還包括在該阻性層的堆疊或導電層和該掩膜層的剩余部分上形成第二間隔件；蝕刻掉該掩膜層的剩余部分的第二部分，以形成島形體；并且使用該島形體作為第二掩膜來蝕刻該阻性層的堆疊，以形成存儲器的阻性元件，并且蝕刻該導電層，以形成該存儲器的導電元件。專利...
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