技術(shù)編號(hào)：7013543
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種具有高維持電流的環(huán)形VDMOS結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)器件，可用于片上IC高壓ESD保護(hù)電路。主要由P襯底，N埋層，P下沉摻雜，N阱，P阱，第一P+注入?yún)^(qū)，第一N+注入?yún)^(qū)，第二N+注入?yún)^(qū)，第二P+注入?yún)^(qū)，第三N+注入?yún)^(qū)，第四N+注入?yún)^(qū)，第五P+注入?yún)^(qū)，多晶硅柵，柵薄氧化層和若干場(chǎng)氧隔離區(qū)構(gòu)成。該環(huán)形VDMOS結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)器件在高壓ESD脈沖作用下，一方面可形成上、下、左、右四面導(dǎo)通的ESD電流路徑，以提高VDMOS器件內(nèi)部電流導(dǎo)通均勻性、降低導(dǎo)通電阻，提高...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。