技術(shù)編號(hào)：7011191
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。太陽能電池包括基底；在所述基底上的背電極層；在所述背電極層上的光吸收層，所述光吸收層包括Se和S；以及在所述光吸收層上的緩沖層；所述光吸收層包括從所述光吸收層的鄰近所述緩沖層的表面延伸的耗盡區(qū)，所述耗盡區(qū)具有在約0.10-約0.30范圍內(nèi)的平均S/(Se+S)摩爾比。專利說明[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)要求2012年11月23日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/729，513和2013年I月10日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/7...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。