技術(shù)編號(hào):7010341
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及兩端子多通道ESD器件及其方法。在一個(gè)實(shí)施方式中該方法包括形成上覆于半導(dǎo)體基底的第一半導(dǎo)體層;形成多個(gè)二極管,且使每個(gè)二極管的至少一部分在所述第一半導(dǎo)體層內(nèi);形成延伸通過(guò)所述第一半導(dǎo)體層的多個(gè)第一阻擋結(jié)構(gòu),其中所述多個(gè)第一阻擋結(jié)構(gòu)的分開(kāi)的阻擋結(jié)構(gòu)圍繞所述多個(gè)二極管中的每個(gè)二極管的周界,以禁止電流在所述多個(gè)二極管之間橫向流過(guò)所述第一半導(dǎo)體層;以及形成從所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)延伸到所述半導(dǎo)體基底中的導(dǎo)體。專利說(shuō)明兩端子多通道ESD器件及其方法[0001]...
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