技術(shù)編號：7009854
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于衰減器，涉及，包括采用激光切割的方法加工介質(zhì)基片，預(yù)先在接地電極處形成通孔；采用真空濺射的方法實現(xiàn)介質(zhì)基片表面與通孔內(nèi)的金屬化，形成金屬化膜層結(jié)構(gòu)；采用光刻工藝形成衰減器圖形；電鍍加厚導(dǎo)體電路；通過加熱的辦法對整片衰減器電路進行熱氧化調(diào)阻；使用探針臺對衰減器進行指標(biāo)測試；使用劃切的方法分割成獨立的衰減器圖形，在衰減器的四個角上體現(xiàn)側(cè)面金屬化效果。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)精細(xì)的電路圖形，利于小型化，滿足了高頻應(yīng)用的場合，且避免了單片手工包邊接地，提高了生產(chǎn)效...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。