技術(shù)編號：7007725
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，所述無結(jié)晶體管的形成方法包括提供襯底，所述襯底表面具有介質(zhì)層；在介質(zhì)層表面形成半導體層，半導體層包括第一重摻雜層、輕摻雜層、第二重摻雜層，輕摻雜層的摻雜離子濃度小于第一重摻雜層和第二重摻雜層的摻雜離子濃度；在半導體層表面形成掩膜層，所述掩膜層內(nèi)具有開口，相鄰開口之間具有部分掩膜層；以所述掩膜層為掩膜，沿所述開口刻蝕半導體層和介質(zhì)層形成凹槽；去除相鄰開口之間的部分圖形化掩膜層；刻蝕相鄰凹槽之間的介質(zhì)層形成空腔；形成覆蓋部分半導體層的頂部表面、側(cè)壁和底部...
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