技術(shù)編號：7006057
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件。更具體而言，本發(fā)明涉及一種包括鰭有源區(qū)的半導體器件。本發(fā)明還涉及這種半導體器件的制造方法。背景技術(shù)隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了包括鰭有源區(qū)的半導體器件，比如鰭型場效應晶體管(Finfet)。對于下一代超大規(guī)模集成電路(VLSI)技術(shù)而言，包括鰭有源區(qū)的半導體器件、比如Finfet是很有前景的半導體器件。然而，如何調(diào)節(jié)包括鰭有源區(qū)的半導體器件的閾值電壓是一個非常有挑戰(zhàn)性的技術(shù)問題。特別是對于包括高k金屬柵極的CMOS Finfet而...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。