技術(shù)編號：7005557
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。包括溝道停止區(qū)的半導(dǎo)體器件背景技術(shù)諸如結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)之類的半導(dǎo)體器件被廣泛地用于各種半導(dǎo)體應(yīng)用， 諸如高功率應(yīng)用或包括半導(dǎo)體開關(guān)的高電壓應(yīng)用。諸如導(dǎo)通行為、截止行為和響應(yīng)速度之類的JFET的器件特性與器件布局密切相關(guān)。為了滿足改善的導(dǎo)通行為、截止行為和響應(yīng)速度的需求，對于能夠滿足這些需求的器件布局存在需要。由于這些和其他原因，對本發(fā)明存在需要。 發(fā)明內(nèi)容根據(jù)半導(dǎo)體器件的實施例，該器件包括在第二導(dǎo)電性的溝道區(qū)域的第一側(cè)與溝道區(qū)域鄰接的第一導(dǎo)電類...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。