技術(shù)編號：7005437
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種記憶體裝置及其制造方法，特別是涉及一種。背景技術(shù)在先前技術(shù)中，一非揮發(fā)性記憶體裝置包括一基板、一浮動?xùn)艠O、一控制柵極和一絕緣體。該絕緣體設(shè)置在該基板和該控制柵極之間，且該浮動?xùn)艠O埋入該絕緣體中。該絕緣體包括一穿隧氧化層和一多晶硅間介電層。該穿隧氧化層設(shè)置在該基板和該浮動?xùn)艠O之間，且該多晶硅間介電層設(shè)置在該浮動?xùn)艠O和該控制柵極之間。采用小于20納米技術(shù)層次的制造過程，具有上述結(jié)構(gòu)的浮動?xùn)艠O記憶體單元被生產(chǎn)出來。該浮動?xùn)艠O記憶體單元在該浮動?xùn)艠O的...
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