技術(shù)編號(hào)：7004978
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種處理和埋層低電阻接觸的結(jié)構(gòu)的方法，如在第一個(gè)權(quán)利要求的序言中所進(jìn)一步敘述的一樣。背景技術(shù) 埋層通常出現(xiàn)在高電壓或雙極型器件的結(jié)構(gòu)中，并用于創(chuàng)造諸如DMOS晶體管那樣的豎直器件，或降低雙極型晶體管的集電極電阻。在傳統(tǒng)的塊硅工藝中，這種埋層是通過(guò)將高劑量的離子注入到半導(dǎo)體襯底，緊跟后續(xù)的退火這樣的方法制成的。埋層形成以后，在晶片上通常生長(zhǎng)一層外延層也叫器件層。在這種外延硅層中，將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)有源器件。這樣的外延硅層的最后厚度，可以在高速雙極型工藝的...
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