技術(shù)編號(hào)：7003465
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種實(shí)現(xiàn)高性能金屬-氧化物-金屬的制造方法。背景技術(shù)隨著CMOS器件尺寸的不斷縮小，其后段互聯(lián)所用的介電質(zhì)的介電常數(shù)k也不斷降低，人們也在不斷尋找新的介電質(zhì)材料，從最初單純的二氧化硅發(fā)展到了 FSG、SiOC，直到 45nm節(jié)點(diǎn)一下的多孔的超低k薄膜。然而隨著薄膜k值的降低，在互連中集成相同大小的電容C就需要更大的面積 (Cock)，面積的浪費(fèi)就增加了芯片的制作成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明公開(kāi)了一種實(shí)現(xiàn)高性能金屬-氧化物-...
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