技術(shù)編號(hào)：7003385
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制造方法；尤其涉及互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管及其制造方法。背景技術(shù) 互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管包括nMOS晶體管和pMOS晶體管。若CMOS晶體管用于建構(gòu)0.18微米及以下的存儲(chǔ)器的周邊電路，該CMOS晶體管包括具有柵極長(zhǎng)度比最小線(xiàn)寬大的0.25微米及更大的nMOS及pMOS晶體管。上述的CMOS晶體管通過(guò)同時(shí)地形成表面通道nMOS晶體管的輕度摻雜漏極(LDD)，及埋入通道pMOS晶體管的沖擊(punc...
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