技術(shù)編號(hào)：7003302
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種金屬源漏SOI MOS晶體管及其形成方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，絕緣體上娃(SOI, Silicon On Insulator)技術(shù)得到了越來(lái)越廣泛的使用。在SOI技術(shù)中，SOI襯底被用來(lái)替代傳統(tǒng)的硅襯底。使用SOI襯底可以降低器件的寄生電容、削弱短溝道效應(yīng)，因而能夠改善器件的整體性能。SOI襯底是硅-絕緣體-硅的疊層結(jié)構(gòu)，絕緣體的材料一般是氧化硅。SOI技術(shù)的第一次工業(yè)應(yīng)用是由IBM在1998年成功實(shí)現(xiàn)的。圖I示...
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