技術(shù)編號(hào)：7003106
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，特別是關(guān)于具備具有氧化膜、氮化膜及氧化膜的層疊膜(以下記為“ONO膜)的存儲(chǔ)單元之非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù) 如附圖說明圖13所示，作為非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置之一形態(tài)的MONOS(Metal OxyNitride Oxide Semiconductor金屬氮氧化合物氧化物半導(dǎo)體)型非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包含能夠憑借一個(gè)存儲(chǔ)單元110處理2位信息的被稱之為NROM(Nitrided Read Only Memory氮化物只讀存...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。