技術(shù)編號(hào):7002635
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造,特別涉及一種。背景技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái),為了獲得更高的芯片密度、更快的工作速度以及更低的功耗。金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的特征尺寸一直遵循著所謂的摩爾定律 (Moore' slaw)不斷按比例縮小,其工作速度越來(lái)越快。當(dāng)前已經(jīng)進(jìn)入到了納米尺度的范圍。然而,隨之而來(lái)的一個(gè)嚴(yán)重的挑戰(zhàn)是出現(xiàn)了短溝道效應(yīng),例如亞閾值電壓下跌(Vt roll-off)、漏極引起勢(shì)壘降低(DIBL)、源漏穿通(punch through)等現(xiàn)...
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