技術(shù)編號(hào):7002029
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶圓等被處理基板上形成氧化鋯系膜的成膜方法和成膜裝置。背景技術(shù)最近,應(yīng)LSI的高集成化、高速化的要求,構(gòu)成LSI的半導(dǎo)體元件的設(shè)計(jì)規(guī)則越來(lái)越微細(xì)化。隨著該微細(xì)化,要求電介質(zhì)膜的電容上升,并要求等效SiO2膜厚EOT (Equivalent Oxide Thickness)小的高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜。對(duì)于這樣的電介質(zhì)膜而言,為了獲得更高的介電常數(shù),需要使該電介質(zhì)膜結(jié)晶化,而且要求結(jié)晶性相當(dāng)高的膜。此外,由于器件的原因,存在熱預(yù)算的限制,期望能...
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