技術(shù)編號:7001162
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于化合物半導(dǎo)體薄膜太陽能電池的制備領(lǐng)域,特別涉及一種CuJnSn、 納米晶薄膜太陽能電池的制備方法。背景技術(shù)社會的巨大進步,對能源需求的大幅度提高,導(dǎo)致了煤、石油、天然氣等能源急劇枯竭,且環(huán)境污染也日益加劇,人們迫切需要尋找清潔可再生的新能源。作為地球無限可再生的無污染能源——太陽能的應(yīng)用日益引起人們的關(guān)注。目前,高效、廉價、穩(wěn)定的太陽能電池成為了科學(xué)工作者研究的熱點。當(dāng)前太陽能電池主要分為娃系(單晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜)太陽能電池、化合物半導(dǎo)體...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。