技術(shù)編號：7000823
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲器件及制造技術(shù)，更具體地說，涉及一種。背景技術(shù)隨著可攜式個人設(shè)備的流行，非揮發(fā)性存儲器的需求進一步的增加，目前市場上的非揮發(fā)性存儲器仍以閃存(Flash)為主流，卻正面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)。為了更好地提高存儲密度和數(shù)據(jù)存儲的可靠性，研發(fā)重點逐漸轉(zhuǎn)向可以取代閃存的新型非揮發(fā)性存儲器，多種新型存儲器技術(shù)得到了發(fā)展，其中，電荷俘獲式存儲器(CTM, Charging TrappingMemory)和阻變存儲器(RRAM,Resistive Rand...
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