技術(shù)編號：7000781
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術(shù)，特別涉及。背景技術(shù)隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，MOSFET特征尺寸不斷縮小，載流子遷移率降低的問題引起了業(yè)內(nèi)的極大關(guān)注，并且已提出了若干種增強載流子遷移率的方案。其中一些方案是通過在MOSFET的溝道區(qū)中施加應力來實現(xiàn)增強載流子遷移率的目的的。 如果對MOS器件的溝道區(qū)施加應力，使其產(chǎn)生應變，則可以影響其載流子遷移率。具體說來，NMOS器件是電子導電的，因此晶格間距越大，晶格散射的作用就越小，電子遷移率就越大，驅(qū)動電流就越大，因此希望對...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。