技術(shù)編號：6997496
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造エ藝，特別涉及ー種。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路通過在半導(dǎo)體襯底中和上形成半導(dǎo)體器件，并將所述半導(dǎo)體器件用互連線連接而形成。其中，不同的半導(dǎo)體器件通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離。淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體襯底中，以在襯底中隔離出用于制造集成電路器件的有源區(qū)。由于半導(dǎo)體襯底上圖案分布的密度不同，半導(dǎo)體襯底包括密線(Dense)區(qū)和疏線(Iso)區(qū)。而密線區(qū)和疏線區(qū)刻蝕形成的淺溝槽隔離溝槽的寬度是不同的，具體的，疏線區(qū)的淺溝槽隔離溝槽的間距比較寬，關(guān)鍵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。