技術(shù)編號(hào)：6996546
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率器件，特別涉及一種VDMOS器件的形成方法。 背景技術(shù)垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(VDMOS)作為功率器件的一種，由于其具 有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)VDMOS器件的形成方法如公開 號(hào)為CN 101515M7A的中國專利申請(qǐng)中所公開的，具體如圖1所示為VDMOS的結(jié)構(gòu)示意圖， 包括半導(dǎo)體基底01，所述半導(dǎo)體基底01包括半導(dǎo)體襯底Ola及位于半導(dǎo)體襯底Ola上的 外延層Olb ；位于所述外延層Olb表面的柵極結(jié)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。