技術(shù)編號：6995583
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其涉及ー種Ω形鰭片的制備方法。背景技術(shù)隨著集成電路產(chǎn)業(yè)按照Moore定律持續(xù)向前發(fā)展，CMOS器件的特征尺寸持續(xù)縮 小，平面體硅CMOS結(jié)構(gòu)器件遇到了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，各種新結(jié)構(gòu)器件應(yīng)運(yùn)而生。在眾多新結(jié)構(gòu)器件中，鰭型場效應(yīng)晶體管(FinFET)被認(rèn)為是最有可能替代平面體硅CMOS器件的新結(jié)構(gòu)器件之一，成為國際研究的熱點(diǎn)。FinFET結(jié)構(gòu)器件初期主要制備在SOI襯底上，エ藝較體硅襯底而言較為簡単。但是SOI FinFET存在制...
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