技術(shù)編號：6995443
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體器件，更確切地說，涉及具有埋柵的垂直溝道結(jié)型場效 應(yīng)晶體管(VJFET)以及制造這些器件的方法。背景技術(shù)碳化硅(SiC)，一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，對于在大功率、高溫、和/或抗輻射電子儀 器中的使用是非常有吸引力的。SiC功率開關(guān)對于這些應(yīng)用而言是合理選擇，這是由于它們 與傳統(tǒng)的硅對應(yīng)物(counterpart)相比有出色的材料物理屬性，諸如寬帶隙、高擊穿場強、 高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率。除了上述優(yōu)點之外，相比于傳統(tǒng)硅功率器件，SiC...
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