技術(shù)編號：6994602
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種溝槽隔絕式金屬氧化物半導(dǎo)體P-N結(jié)面二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指具有較低漏電流、較低正向?qū)▔航抵?Vf)、較高反向耐電壓值與較低反向回復(fù)時間特性的一種溝槽隔絕式金屬氧化物半導(dǎo)體P-N結(jié)面二極管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)肖特基二極管為以電子作為載流子的單極性元件，其特性為速度快且正向?qū)▔航抵?Vf)低，但反向偏壓漏電流則較大(與金屬功函數(shù)及半導(dǎo)體摻雜濃度所造成的肖特基勢壘值有關(guān))，且因?yàn)橐噪娮幼鳛檩d流子的單極性元件，沒有少數(shù)載流子復(fù)合的因素，反向回復(fù)時...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。