技術(shù)編號(hào)：6994329
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路，尤其涉及一種包含硅中介物(silicon interposer)的三維 集成電路及其制造方法。背景技術(shù)自集成電路發(fā)明以來(lái)，由于各種電子元件(也即晶體管、二極管、電阻、電容等)的 集積度不斷地改良，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷持續(xù)且快速的成長(zhǎng)。主要來(lái)說(shuō)，這些集積度的改良來(lái) 自于重復(fù)地微縮芯片最小尺寸，使更多的元件能整合至單位面積內(nèi)。此種整合的改良本質(zhì)上仍為二維QD)的，由元件集積所覆蓋的體積基本上僅在 半導(dǎo)體晶片的表面。雖然光刻技術(shù)的大幅進(jìn)步使二維集...
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