技術(shù)編號：6993346
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件，特別涉及橫向高壓器件的柵極介質(zhì)層材料和結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)眾所周知，LDMOS，LIGBT，IGCT，Offset-gateM0S，橫向 MCT，橫向 IEGT 等柵控制功 率器件，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到功率集成電路中。在應(yīng)用中，功率器件通常會在截止和導(dǎo)通兩種 狀態(tài)下工作，在截止?fàn)顟B(tài)下，柵極電壓為低，由漂移區(qū)耐壓，而在導(dǎo)通狀態(tài)下，柵電壓為高。 在器件結(jié)構(gòu)固定的情況下，柵極電壓越高，導(dǎo)通電阻越小，功率電路的效率也越高，但太高 的柵極電壓會導(dǎo)致...
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