技術(shù)編號(hào)：6993302
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，其包括發(fā)光二極管、電子器件以及半導(dǎo)體傳感器，并且涉 及到制造該半導(dǎo)體器件的方法；特別地，本發(fā)明涉及一種結(jié)合了降低位錯(cuò)密度的GaN襯底 的半導(dǎo)體器件，及這種器件的制造方法。背景技術(shù)對(duì)采用半導(dǎo)體器件如發(fā)光二極管、電子器件以及半導(dǎo)體傳感器改進(jìn)各種GaN襯底 或者III族氮化物襯底中特性的設(shè)計(jì)需要襯底的低位錯(cuò)密度。已經(jīng)提出怎樣制造低位錯(cuò)密度的這種III族襯底的實(shí)例包括以下內(nèi)容。 X. Xu 等人在 Journal of Crystal Gro...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。