技術(shù)編號(hào):6993241
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)元件和存儲(chǔ)裝置,它們根據(jù)存儲(chǔ)層的電特性的變化來(lái)存儲(chǔ)信息, 所述存儲(chǔ)層包括離子源層和高電阻層。背景技術(shù)目前普遍采用NOR型或NAND型閃存作為用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器。 然而,根據(jù)這些半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器,寫(xiě)入操作和擦除操作需要大的電壓,并且被注入至浮置柵極的電子的數(shù)量有限,從而導(dǎo)致了存儲(chǔ)器的小型化受到局限。近來(lái),例如電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Resistance Random AccessMemory,ReRAM)或可編程金屬化單元(P...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。