技術(shù)編號(hào):6993220
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件等場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法。背景技術(shù)功率MOSFET器件是眾所周知的,并已應(yīng)用于許多場(chǎng)合,示例性應(yīng)用包括汽車電子設(shè)備、便攜電子設(shè)備、電源與電信設(shè)備。功率MOSFET器件的一個(gè)主要電學(xué)特性是其漏源通態(tài)電阻(RDS(on)),定義為漏電流遇到總電阻,正比于MOSFET等通時(shí)的功率耗用量.在垂向功率MOSFET器件中,該總電阻包括若干電阻分量,包括逆變溝道電阻(溝道電阻)、啟動(dòng)基片電阻、外延部電阻...
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